On utilise généralement des cristaux de saphir de haute pureté obtenus artificiellement. Le silicium est généralement déposé par la décomposition du gaz silane (Sih4) sur des substrats de saphir chauffés. L’avantage du saphir est qu’il s’agit d’un excellent isolant électrique, empêchant les courants vagabonds causés par le rayonnement de se propager aux éléments de circuit voisins.

Caractéristiques :

• Diamètre 2″ à 12″ ou substrats de 10mm x10mm à 100mm x 100mm
• Orientation C, A, R, M-Plane (0001) (11-20) (1-102) (10-10)

Demande de devis