• Diamètre de 1 ″ à 12″
• Orientation (100)-(111)-(110)-(311)
• Type P (b) – Type N (ph,Sb,As) – Non dopé/Intrinsèque – As Cut
• Épaisseur : selon votre demande
• 1 ou 2 faces polies  / 1 ou 2 méplats
• TTV de 1µm à 25µm
• Couche de SiO2, Si3N4, PECVD, LPCDV, Cr/Au, Al etc…
• Marquage laser Norme M13-M12

Le Silicium est l’élément le plus répandu après l’Oxygène, il est en particulier utilisé comme matériau de base, sous forme première de poudre dans les « puller » pour les applications semi-conducteur et photovoltaïque de façon à réaliser le tirage de lingots de Silicium, wafers silicium, plaquettes ou tranches suivant les deux procédés CZ ou FZ qui se différencient essentiellement par une pureté et résistivité plus faible en CZ.

• Diamètre de 2″ à 8″
• Épaisseur SOI de 2µm à 200µm
• Orientation <100><111>
• Type N (P,Sb, As) Type P(B)
• Résistivité CZ ou FZ

Utilisés plus couramment dans les MEMS et circuits de fabrication intégrés avancés CMOS, les plaques de SOI fournissent une solution de fabrication permettant de réduire puissance et chaleur tout en augmentant la vitesse de performance du composant électronique. Les plaques SOI ont trois couches de matière empilées de la façon suivante : couche active de première qualité de SOI  (DEVICE LAYER) au dessus d’une couche de SiO2 (BOX), au dessus d’une plaque de support en silicium de base (HANDLE). Les plaques SOI sont des produits uniques qui sont fabriqués en fonction de la demande des applications des utilisateurs.

Nous vous proposons toute une gamme de verres : Quartz, quartz fondu, B33, BK7, silice fondue

• Haute température active
• Bonne conductivité thermique
• Propriétés mécaniques supérieures
• Haute anticorrosion
• Constante diélectrique stable
• Perte diélectrique faible
• Excellente transmission

• Diamètre de 1″ à 6″
• Orientation (100) & (111)
• Dopant P (Ga) – N (Sb, As) – Non dopé
• 1 ou 2 faces polies

Le Germanium est une matière utilisée dans les applications semi-conducteur, dû à ses propriétés cristallographiques, il offre d’excellentes propriétés électriques uniques, les wafers Germanium, ou « wafers Ge », sont également utilisés dans les cellules Solaires et dans les applications Optiques Infrarouges.

• Diamètre 2″ à 12″ ou substrats de 10mm x10mm à 100mm x 100mm
• Orientation C, A, R, M-Plane (0001) (11-20) (1-102) (10-10)

On utilise généralement des cristaux de saphir de haute pureté obtenus artificiellement. Le silicium est généralement déposé par la décomposition du gaz silane (Sih4) sur des substrats de saphir chauffés. L’avantage du saphir est qu’il s’agit d’un excellent isolant électrique, empêchant les courants vagabonds causés par le rayonnement de se propager aux éléments de circuit voisins.