Système compact de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, à l’échelle wafer, pour la synthèse rapide de graphène de haute qualité

Caractéristiques principales

• Système de dépôt en phase vapeur (CVD) ultra-compact, format paillasse
• Synthèse reproductible de graphène de haute qualité
• Contrôle précis des conditions
• Température maximale de 1100 °C
• Temps de traitement <30 minutes
• Taille maximale du substrat 20 × 40 mm2
• Entièrement automatique
• Interface homme-machine conviviale à écran tactile
• Définition/sauvegarde de plusieurs recettes de croissance
• Connexion PC pour l’enregistrement des données
• Équipé pour un entretien facile
• Caractéristiques de sécurité complètes
• Compatible avec les salles blanches
• Des performances éprouvées