Les caractéristiques technologiques couvrent les exigences classiques des wafers Si Monocristallin suivant les couches souhaitées:
- couche supérieur à 2µm
- diamètre de wafer inférieur à 6″ (150 mm)
Le SiO2 est aussi largement utilisé dans les procédés SOI (Silicon On Insulator) comme couche intermédiaire entre SOI et Bulk, son épaisseur dépend du résultat souhaité en général de l’ordre du micron. Les applications concernent les MEMS, les circuits de puissance, capteurs de pression…
La couche SOI doit être supérieure à 2µm pour des diamètres entre 2″ (25,4 mm) et 8″ (200 mm). Nous pouvons proposer une couche de SOI inférieure à 2 µm pour des diamètres supérieurs à 6″ (150 mm) suivant les applications.
Ce traitement de surface fourni une solution pour la grande vitesse et un dispositif de faible consommation d’énergie. Cette technique est largement utilisée y compris pour les composants RF. Les wafers SOI ont une structure en sandwich comprenant une couche active sur le dessus, deux couches d’isolant SiO2 avec une couche d’oxyde entre les deux, le tout sur un substrat Si.
Le SiO2 :
Les silices amorphes microporeuses sont plus facilement solubles que les formes cristallines.
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La gamme de wafers SOI a une couche inférieure à 2µ pour un diamètre de wafer supérieur à 100mm.
Les wafers silicium couvrent les exigences classiques des wafers ou lingots Si Monocristallin CZ & FZ.
Les wafers saphir, quartz, borofloat et verre sont disponibles en wafer dans des diamètres de 1" à 4" et en substrat de 10 mm à 100 mm.
Les wafers germanium couvrent les exigences classiques des lingots et des wafers Germanium.
Les lingots de silicium monocristal suivent 2 procédés de fabrication appelés CZ (Czochralski) ou FZ (Float Zone).